SI500PPD平行平板式等離子增強(qiáng)PECVD沉積設(shè)備Process flexibility工藝靈活
SI500PPD適用于室溫至350°C范圍內(nèi)SiO2, SiNx, SiOxNy a-Si和薄膜沉積標(biāo)準(zhǔn)工藝。
Vacuum loadlock預(yù)真空室
SI 500 PPD 具有真空預(yù)裝片系統(tǒng)、干泵來(lái)實(shí)現(xiàn)無(wú)油、高產(chǎn)能和高潔凈度沉積工藝。
SENTECH control software SENTECH控制軟件
控制軟件包括模擬用戶界面,參數(shù)窗口,工藝程序編輯器,數(shù)據(jù)記錄和用戶管理等模塊。
SI500 PPD是PECVD制備介質(zhì)膜、a-Si SiC和其他薄膜的典型設(shè)備,配備有平板電容耦合等離子源、預(yù)真空室、可控溫電極、可選擇的低混頻,全方位控制無(wú)油真空系統(tǒng),采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)的SENTECH控制軟件,以及用戶友好的操作界面來(lái)實(shí)現(xiàn)操作。
SI500 PPD可以進(jìn)行最大200mm的晶圓片刻蝕。配有單片預(yù)真空腔室,即保證了工藝穩(wěn)定性,又可以使工藝靈活切換。
SI500PPD PECVD機(jī)臺(tái)的適用于室溫至350℃條件下沉積SiO2, SiNx, SiONx, 和a-Si薄膜,也可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態(tài)或氣態(tài)源沉積其它材料。
SI500 PPD 尤其適用于沉積刻蝕掩膜用介質(zhì)膜、薄膜和介電膜的沉積。
SENTECH面向高靈活性和高產(chǎn)能刻蝕和沉積系統(tǒng)提供各種級(jí)別的自動(dòng)化裝置,從真空裝片系統(tǒng)到最大6端口的工藝腔室裝置。SI500 PPD同樣可以作為多腔室配置中的工藝模塊。